3M CMP 패드- 전자 및 반도체 부품

고도의 CMP 공정을 위한
탁월한 CMP 패드

고성능의 효율적인 3M™ Trizact™ CMP 패드로 반도체 제조 공정을 개선하세요

CMP 디펙 최소화, 수율 극대화.

화학 기계적 평탄화(CMP) 공정을 위한 비용 효율적인 솔루션을 찾고 계신가요?

지속적인 수율 증가에 대한 필요성은 생산 과정중 발생하는 낭비나 디바이스 신뢰성을 위협하는 변수를 위한 여지가 없음을 의미합니다. 이는 더 높은 평탄화 효율과 개선된 디펙 성능 중 한가지의 성능 보단 두 가지 성능 모두가 요구되어 집니다. 패드 컨디셔너의 사용 없이 적용 가능한 3M™ Trizact™ CMP 패드로 평탄화 공정을 재정립해보세요.

일관된 성능을 위해 설계된 CMP 패드

3M™ Trizact™ CMP 패드를 선택해야 하는 3가지 이유

1. 최첨단 노드를 위한 최첨단 성능

3M™ Trizact™ CMP Pad 의 핵심은 미세복제 기술 입니다. 3M의 핵심 기술인 미세복제 기술을 통해 내구성이 뛰어난 3M 형상을 패드 표면에 새깁니다.

고도로 제어되고 조정 가능한 이 공정은 독립적인 단위 셀로 요철과 기공을 배열해 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 연마와 압력을 가능하게 함으로써 첨단 노드에 이상적입니다. 1000 장 이상의 웨이퍼를 연마한 이후에도, 3M 의 미세복제된 연마 패드는 본래의 형상을 유지할 뿐만 아니라 기존 패드보다 15배 이상의 마모가 적었습니다.
2. 연마 균일성 향상

3M의 미세복제된 CMP 패드는 2000장 이상의 웨이퍼 연마 테스트 결과 기존 패드 대비 웨이퍼간 굉장히 일관된 안정성, 재현성 그리고 균일성 및 WIDNU(다이 내 불균일성)가 최소화된 성능이 입증 되었습니다. 이 테스트에서 3M™ Trizact™ CMP 의 패드는 게이트 높이 WIDNU가 30% 이상 감소하고 게이트 상단 유전체 두께 WIDNU가 40% 이상 감소했습니다.

출처: [1] A Microreplicated Pad for Tungsten Chemical-Mechanical Planarization
3. 더 빠르고 정밀한 평탄화

3M™ Trizact™ CMP 패드는 빠르고 정밀하며 균일하게 평탄화합니다. 기존 패드는 실리콘 질화물(SiN) 막 위에 2,000 옹스트롬(Å) 이상의 두껍고 비효율적인 실리콘 산화막(SiO2)을 증착해야 부정확한 평탄화에 대한 여유를 확보할 수 있지만, 3M CMP 패드는 필요한 양이 65%에 불과 합니다 . 따라서 산화물 증착과 CMP 공정에 사용되는 슬러리 양을 모두 절약할 수 있습니다. 또한 제거해야 할 재료가 적다는 것은 연마에 소요되는 시간이 줄어든다는 것을 의미합니다. 테스트 결과 기존 패드에 비해 산화막을 제거하는 데 필요한 시간이 50% 이상 단축되는 것으로 나타났습니다.